ひずみゲージ パターン

ひずみゲージ アーキテクチャの探究

従来の箔、薄膜、シリコン半導体、Microfused シリコン技術の比較。

ひずみゲージは材料の微小な変形を検出します。 これは、航空機の翼や橋、医療機器の構造的完全性のモニタリングに不可欠です。ひずみを元の長さに対する長さの変化の比率(ΔL/L)で測定することで、エンジニアは故障を回避し、性能を最適化することができます。必要な精度と耐久性は、エンジニアが適切なタイプのひずみゲージを選択する際の指針となります。 

TE Connectivity の MicrofusedTM シリコン素子は、様々な種類の測定器の中でも、そのユニークな構造と厳しい環境での性能で際立っています。これらの素子は、力センサや圧力変換器などのひずみゲージ式デバイスに一般的に組み込まれています。MicrofusedTM センサは、水や汚染物質の浸入を防ぐと同時に、オンボードのホイートストン ブリッジを内蔵し、信号処理を簡素化します。従来の箔、薄膜、従来のシリコン半導体ひずみゲージとの比較を探ります。

これらのデバイスは、薄い金属箔グリッドを柔軟な基材に接着したものです。 グリッドの蛇行パターンは、コンパクトな領域で導体の長さを増加させ、必要な方向のひずみに対する感度を向上させます。基材は、箔グリッドの機械的支持と電気絶縁を提供します。接着剤層は基材と箔グリッドを被測定物の表面に接着し、リード線はひずみゲージをホイートストン ブリッジ回路などの外部測定装置に接続します。管理された環境では任意ですが、屋外や産業環境では、湿気、化学薬品、機械的摩耗からセンサを保護するために、保護コーティングが不可欠な場合がよくあります。

用途

箔ひずみゲージは、手頃な価格と設置の容易さから、構造物試験や教育用として広く採用されています。

  • 一般構造物試験:梁、橋、建物、機械部品のひずみの測定に適しています。箔ゲージは費用効率が高く、様々な表面に簡単に取り付けることができます。
  • 教育・研究施設:その入手のしやすさと使いやすさから、教育や初期段階の実験に広く使用されています。
  • 短期または非重要なモニタリング:一時的な負荷試験や試作品の評価、長期的な耐久性を必要としないシステムに効果的です。
  • 大規模センサの展開:低コストであるため、分散型ひずみモニタリングのために構造物全体に広く配備することができます。
  • 規制環境:高度な環境保護を必要とせず、屋内または安定した条件下で確実に動作します。

考察

極端な温度、腐食性物質、または高圧を伴う用途では、エンジニアは箔ひずみゲージを拒否し、より堅牢な代替品を選択することがよくあります。

薄膜ひずみゲージは、金属または半導体材料の薄層を基板上に蒸着する微細加工技術を用いて製造されます。 用途によっては、試験片の表面に直接塗布することもあります。電気的干渉が性能に影響を及ぼす可能性がある場合、エンジニアは基板とセンシング層の間に絶縁層を追加することがあります。同様に、チタンやクロムなどの接合層を設けると、センシング フィルムと基板との密着性が向上します。細い導電性トレースまたは接着されたワイヤが、センシング エレメントを外部測定回路に接続します。箔ゲージと同様に、環境による損傷からゲージを保護するために、保護パッシベーション層が塗布されることがよくあります。

用途

薄膜ひずみゲージは、その精度、安定性、過酷な環境での動作能力が評価されています。

  • 航空宇宙・自動車:堅牢な構造と最小限のドリフトにより、高温・高ストレス環境に適しています。
  • 医療機器:カテーテルベースのセンサなど、小型化と生体適合性が要求される用途に使用されます。
  • MEMS デバイス:マイクロ電気機械システムに統合し、コンパクトで高感度なひずみ測定を実現します。
  • 高精度の計測機器:精度と再現性が重要視されるラボグレードの機器に適しています。
  • 組み込みモニタリング:構造部品に直接蒸着して、長期間の埋め込みひずみモニタリングが可能です。

考察

薄膜ひずみゲージは、箔ゲージよりも製造コストが高く、複雑であることがよくあります。さらに、これらのゲージは、センシング層を効果的に成膜するために特定の表面条件や基板を必要とします。薄膜ゲージの柔軟性には限界があるため、柔軟性の高い表面や不規則な表面には適していません。

シリコン半導体ひずみゲージ技術は、ドープされたシリコンのピエゾ抵抗特性を利用してひずみを測定します。 金属ゲージとは異なり、これらのデバイスは機械的ストレスによるシリコンの結晶格子構造の変化に依存しています。これらのゲージは、ピエゾ抵抗効果により機械的ひずみに比例して抵抗率が変化するドープ シリコン素子(一般的にp型またはn型)を備えています。シリコン ウェハー上に直接作製されるか、硬いキャリアに接着されることが多く、シリコン自体が検出素子と基板の両方の役割を果たす設計もあります。エンジニアは、ゲージを試験面に取り付けるために、接着剤や微細加工技術を使用することができます。シリコン上に蒸着された金属コンタクト(アルミニウムや金など)は、ゲージを外部回路に接続します。過酷な環境や機械的ストレスが予想される環境向けのセンサには、メーカーはゲージを保護するための保護層やハウジングを提供しています。

用途

高感度で知られるシリコン半導体ひずみゲージは、精密かつ高性能な環境で使用されています。

  • 医療機器:小型で感度が高いため、カテーテル、インプラント、診断機器などの小型センサに適しています。
  • 航空宇宙・自動車:高精度が要求され、振動や極端な温度への耐性が必要な環境で使用されます。
  • 圧力センサ:MEMS ベースの圧力変換器やロード セルに一般的に組み込まれています。
  • 産業用モニタリング:ロボットやオートメーション システムでの高精度な力やトルク測定に適しています。
  • 民生用電子機器:統合されたセンシング機能を必要とするコンパクトなデバイスに見られます。

考察

シリコン半導体のひずみゲージは脆く、過度の機械的ストレスがかかると破断する可能性があるため、エンジニアが適用する際には注意が必要です。これらのゲージは、箔ゲージや薄膜ゲージよりも製造コストが高く、過酷な環境下で信頼性を提供するためには、慎重な取り扱いとカプセル化が必要になる場合があります。

TE Connectivity の Microfused™ 技術は、高温ガラス接合によって金属ダイアフラムに直接融合した独自のピエゾ抵抗シリコン素子を使用しています。 これらのセンシング エレメントは、力センサ、圧力変換器、ロード セルなどのひずみゲージベースのデバイスに組み込まれています。この設計により、長期安定性に優れた堅牢なモノリシック センシング エレメントが実現します。微細加工されたシリコン製ピエゾ抵抗素子には、機械的ひずみを電圧出力信号に直接変換するホイートストン ブリッジが含まれており、信号調整を簡素化します。これらのシリコン センシング エレメントは、接着剤や溶接を必要としない高温ガラス接合層でステンレス製ダイアフラムに恒久的に融合されています。リード線は、独自のワイヤ ボンディング技術を使用してシリコン素子に接続され、信号調整用電子機器への信頼性の高い接続を可能にします。これにより、過酷な環境下での感度、安定性、耐久性が向上します。アセンブリ全体は、非常に過酷な環境と機械的ストレスに耐えるように設計された堅牢な気密型パッケージに収納されています。

用途

Microfused™ センシング エレメントを搭載したデバイスは、耐久性と精度が重要視される高性能・大量生産環境向けに設計されています。

  • 航空宇宙システム:飛行制御センサ、フラップ ジャム検出、自動操縦力フィードバックシステムに使用されます。
  • 医療機器:診断・治療機器の小型・高精度センサに適しています。
  • 産業オートメーション:ロード セル、力センサ、圧力変換器など、要求の厳しい産業環境に適しています。
  • 自動車システム:堅牢で信頼性の高いセンシングを必要とするブレーキ、ステアリング、サスペンション システムに適用されます。
  • 試験・計測機器:動的な力と圧力のモニタリングのために精密機器に組み込まれています。

考察

MicrofusedTM ひずみゲージは、そのユニークな特徴から、特定の用途に合わせたパッケージングや電子回路が必要になる場合があります。これらのゲージは、高度な材料と製造工程のため、箔ゲージよりも高価です。MicrofusedTM センサの統合には、組み込みシステムで性能を最適化するための慎重な設計上の考慮が必要な場合があります。

カテゴリ 特性 Microfused シリコン 半導体(シリコン)     薄膜
性能 信号出力 非常に高い 低い 高い 中程度
信号の安定性 非常に良い 中程度~不十分 良好~非常に良い(適切なパッケージング) 卓越した
感度(ゲージ率) 50 ~ 200 1 ~ 5 50 ~ 200 ~ 2
応答時間 速い 普通 非常に速い 速い
信頼性 ヒステリシス 非常に低い
中程度~高い 非常に低い 低い
クリープ抵抗 卓越した 不十分 非常に良い 非常に良い
疲労寿命 非常に長い 短い 非常に長い 長い
環境耐性 温度範囲 750°F まで 350°F まで 750°F まで 高い(用途による)
耐久性 卓越した(ガラス接着、耐疲労性) 中程度(有機基材、粘着クリープ) 非常に良い(硬い結晶構造) 非常に良い(分子結合、耐疲労性)
リークの可能性 漏れ防止(気密シール) ハイリスク(接着剤劣化) 中程度(取り付けによる) 低リスク(基板による)
ノイズ耐性 高い 低い 高い 中程度
コスト効率 サイズ コンパクト 大きい マイクロマシナブル 超薄型
統合 モノリシック(ガラス接着) 表面実装(接着剤) 基板対応(パッケージによる) 基板一体型(蒸着)
コスト 中程度 低い 中程度~高い 高い

Microfused の利点

TE Connectivity の MicrofusedTM シリコン センシング エレメントは、ひずみゲージベースのデバイスに統合すると、いくつかの重要な利点があり、高性能用途に最適です。圧電シリコンを高温ガラス接合で金属ダイアフラムに直接融合させるというユニークな構造により、卓越した長期安定性と耐久性を実現しています。この設計により、接着剤や溶接が不要となり、潜在的な故障箇所が減少し、信頼性が向上します。各センサにマイクロホイートストン ブリッジを組み込むことで、信号処理が簡素化され、TE 独自のワイヤ ボンディング技術により感度と安定性が向上します。

 

これらの機能を堅牢な気密型パッケージに搭載することで、MicrofusedTM デバイスは過酷な環境にも耐えることができ、航空宇宙、医療、産業、自動車、試験および計測用途に適しています。全体として、TE の MicrofusedTM シリコン技術は、幅広い重要な用途における正確なひずみ測定のための、堅牢で信頼性の高い高性能ひずみセンシング ソリューションを可能にします。