低磁場感度と高磁場感度の違いは何ですか?
磁場感度とは、磁場強度の変化を検出するセンサの機能のことです。これは MR センサにとって重要な特性であり、磁場の変動をどれだけ効果的に測定できるかを決定します。
極間隔とは何ですか?
極間隔は、磁化された表面または磁場内にある隣接する磁極間の距離を示す重要な測定値です。これは、磁場の変動を正確に検出して測定するセンサの能力に影響を与えます。
磁場強度にはどのような特徴がありますか?
磁場強度特性は、弱磁場、中磁場、強磁場にわたって変化します。それぞれに対応する基準は次のとおりです。
スイッチング磁場は、スイッチング電圧における磁場とどのようにして等しくなるのでしょうか?
磁気抵抗 (MR) センサでは、センサの抵抗状態を変化させるうえで必要な特定の磁場強度をスイッチング磁場と呼んでいます。この磁場が印加されるとセンサの電気抵抗が変化し、これは電圧の変化 (スイッチング電圧) として検出されます。基本的には、スイッチング磁場がセンサの抵抗状態の切り替えを生じさせ、スイッチング電圧がこの変化を示します。
磁気センサのエア ギャップの目的は何ですか?
MR センサにおけるエア ギャップとは、センサと磁源との距離のことです。このギャップは、センサの性能と精度に重大な影響を及ぼします。エア ギャップを適切に管理することで、一貫性と信頼性の高い結果が得られます。
ウェハ レベル パッケージングとは?
ウェハ レベル パッケージング (WLP) では、個々のセンサに分割される前に、半導体材料の薄片 (ウェハ) 上で数百または数千のセンサの製造、パッケージング、テスト、バーンインを統合的に実施します。
特長:
一般的な用途:
AMR センサは物体の回転角度をどのように決定するのですか?
AMR センサは、磁場の方向を検知して物体の回転角度を測定します。永久磁石が回転すると、異方性磁気抵抗効果によって抵抗の変化が検出されます。このセンサは、ホイートストン ブリッジ構成を使用して、抵抗の変化を差動サイン信号とコサイン信号に変換します。コンピュータ アルゴリズムがこれらの信号を処理し、正確な回転角度を決定します。正確な角度測定を可能にするには適切な校正が不可欠であり、オフセット・振幅・直交性の誤差を補正することも含まれます。AMR センサは、0.5° 〜 0.1° の精度で最大 180° の角度を測定できます。 ただし、AMR 検知とホール効果ラッチを組み合わせることで、360° の角度測定が可能になります。
ホイートストン ブリッジは AMR センサの性能をどのように向上させますか?
AMR センサでは、通常、異方性磁気抵抗効果による抵抗の変化を検出するためにホイートストン ブリッジ構成で配置された抵抗素子を使用します。このブリッジにより、磁場の方向に対応する差動サイン信号とコサイン信号が生成されます。コンピュータ アルゴリズムがこれらの信号を処理し、物体の正確な位置を特定します。AMR センサの精度と分解能を向上させるため、多くの場合にホイートストン ブリッジが使用されます。
機能:
製品の特長:
用途:
均一磁場センシングとは何ですか?
均一磁場センシングとは、検知対象領域全体にわたって強度と方向が均一な磁場を検出することです。磁気抵抗センサは、磁場の変化を正確かつ一貫して測定することを目的としています。均一磁場センシングが重要な場合もあれば、それほど重要でない場合もあります。
均一磁場センシングの重要な用途には、次のようなものがあります。
MRI 装置
磁気共鳴映像法 (MRI) 装置では、身体の内部構造を鮮明かつ正確に画像化するために、きわめて均質な磁場が不可欠です。不均一性があると、画像に歪みやアーティファクトが生じる可能性があります。
磁気ナビゲーション システム
磁気ナビゲーション システムは、エアロスペースおよび艦船航行で使用されています。このようなシステムは均一な磁場を利用し、正確な方向情報を提供します。磁場の変動は航行誤差につながる可能性があります。
科学研究
物理学や材料科学の実験では、磁場の変動による影響を受けることがないように均質な磁場が必要になることがよくあります。
ヒステリシスは MR センサの精度にどのように影響するでしょうか?
ヒステリシスとはシステム内の入力と出力の間の遅延のことであり、特に磁場の方向が変わるときの遅延を指します。MR センサでは、ヒステリシスはいくつかの形でセンサの精度に影響を与えます。
緩和手法:
異方性磁気抵抗 (AMR) センサおよび巨大磁気抵抗 (GMR) センサは、いずれも薄膜電気抵抗の変化に伴う磁場の変化を検出します。これらも同様の用途で使用されます。ただし、動作原理と主要なパフォーマンス特性には違いがあります。
検知原理 | |
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AMR センサは、強磁性体における磁化と電流方向とのなす角度による電気抵抗の変化を測定します。この効果が生じるのは、電流に対する磁場の方向によって抵抗値が変化するためです。 | GMR センサは、非磁性層で隔てられた多層強磁性体構造の磁化の配向によって生じる抵抗の変化を利用します。磁性層が平行に並んでいると抵抗は低くなり、逆平行であると抵抗は高くなります。 |
感度 | |
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一般的に、AMR センサの感度は中程度であるため、高精度でありながら極端に高い感度が要求されない用途に適しています。 |
GMR センサは AMR センサに比べて感度が高く、磁場の微細な変化を検出することができます。このため、高精度が求められる用途に適しています。 |
構造 | |
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通常、AMR センサはパーマロイ (ニッケル-鉄合金) などの単層の強磁性材料で構成されています。 | GMR センサは、コバルトなどの強磁性層や銅などの非磁性層を含む複数の層で構成されています。この多層構造が巨大な磁気抵抗効果を実現する鍵となります。 |
性能特性 | |
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AMR センサは、検出範囲が狭くてヒステリシスが小さく、シンプルさと費用対効果の高さで知られています。 | GMR センサは検出範囲が広くて信頼性も高いですが、強力な永久磁石が存在する場合に複数のスイッチング ポイントを示す場合があります。 |
異方性磁気抵抗 (AMR) センサとホール効果センサは、どちらも磁場を検出しますが、動作が異なり、それぞれ異なる特性があります。
動作原理 | |
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AMR センサは、強磁性体における磁化と電流方向とのなす角度による電気抵抗の変化を検出します。 | ホール効果センサは、磁場にさらされたときに電流に対して垂直に生成される電圧を測定します。 |
感度 |
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AMR センサは一般的にホール効果センサに比べて感度が高く、磁場の微小な変化を検出するのに適しています。 |
磁場方向 | |
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AMR センサは、センサと平行な磁場に反応します。 | ホール効果センサは、センサに垂直な磁場に反応します。 |
設計の柔軟性 | |
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AMR センサは水平方向の磁場を検出できるため、柔軟に設計できます。 | ホール効果センサでは、通常、センサの真上にマグネットを配置する必要があります。 |