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概要

MS32 は、ホイートストン ブリッジの形態で設計された磁場センサです。 4 つの各抵抗器は、異方性磁気抵抗効果を示す素材であるパーマロイから作られています。チップ (x-y プレーン) に平行し y 軸に沿う表面の一方向の磁場が、磁場に依存する出力信号を送ります。磁気スイッチング ポイントは温度にほぼ依存せず、通常は Hs=1.85 kA/m に設定されます。また、特性曲線は広い磁場にわたって線形性を示します。したがって、新しい MS32 では、さまざまな機械的・磁気的環境にセンサを容易に応用できます。センサ ダイは TDFN パッケージに収容されています。 

特長

  • ソリッド ステート磁気抵抗効果に基づくセンサ 
  • 単極信号出力
  • 線形磁場応答
  • 高感度、低いヒステリシス
  • 温度補償されたスイッチング ポイント
  • 高いブリッジ抵抗による低消費電力
  • 最大 30 V の供給電圧
  • 小型 TDFN パッケージ 

特徴

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製品のタイプの特徴

  • 製品タイプ  磁気スイッチ センサ

電気的特性

  • 通常の動作電圧 (V) 5

  • 通常の平均電流 (mA) .5

使用条件

  • センシング範囲 (kA/m) 1.4 – 2.3

  • 使用温度  -40 – 125 °C [ -40 – 257 °F ]

動作/用途

  • 信号出力  受動アナログ

  • 通常の信号振幅 (mV/V) 0

実装の特徴

  • パッケージ  TDFN2.5x2.5

関連資料

データ シート/カタログ ページ

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